[이슈밸리=박지영 기자] 미국 내 반도체 제조시설 등에 520억 달러를 지원하는 미국 '반도체지원법'의 수혜를 받는 기업들은 향후 10년 간 중국에 대한 시설 투자 등에 제한을 전망이다.
이 법이 시행되면 삼성전자와 SK하이닉스를 포함해 미국의 인텔과 대만의 TSMC 등 세계 주요 반도체 기업들 영향을 받게 된다.
4일 업계에 따르면 지난주 미국 상하원을 통과한 '반도체와 과학법'은 조 바이든 대통령의 서명만을 남겨 두고 있다.
미국 하원 홈페이지를 통해 공개된 반도체법(H.R.4346) 조항에는 '중국'(China)과 '중국의-'(Chinese)라는 단어가 14번 포함됐다. 대부분 중국을 비롯한 '관심 국가'에서의 행위에 대한 금지 및 제재의 의미가 담긴 규정이다.
이 반도체법에 따라 연방정부의 보조금을 받는 기업은 향후 10년 동안 중국 등에서 반도체 제조 시설의 확장을 포함해 어떠한 중요한 이전에도 관여할 수 없다는 내용이 명시된 계약을 미국 정부와 체결해야 한다.
다만 28나노미터(㎚·10억분의 1ｍ) 이상의 연산(logic) 반도체를 제조하는 기존 생산시설은 예외로 한다는 조건이 붙었다. 다시 말해 28나노 이후 세대의 반도체 생산시설은 추가적인 시설 투자가 불가능하다는 뜻이다.
28나노 연산 반도체는 여전히 자동차와 스마트폰 등에서 쓰이고 있지만 현재 업계 최선단 반도체에 비해서는 10년 이상 뒤쳐진 공정이다. '반도체 굴기'를 선언한 중국이 기술 격차 때문에 어쩔 수 없이 주력하는 분야이기도 하다.
특히 미국은 연산 반도체 뿐만 아니라 메모리 반도체, 아날로그 반도체, 패키징 기술 등에 대해서도 미 국방부 장관과 국가정보국장이 협의해 28나노급으로 판단되는 각 레거시 세대를 정해 규제에 나서기로 했다.
국방부 장관은 반도체법 시행 이후 2년 안에 중국에 대한 추가 투자를 제한하는 레거시 반도체의 범위는 물론, 새롭게 추가될 반도체 기술 등이 포함된 공고를 발행하게 된다.
다만 이 제한 사항을 위반하고 이를 바로잡지 못할 경우 연방 보조금을 전액 반환해야 할 수도 있다는 점이 문제다.
삼성전자는 중국 시안과 쑤저우에서 각각 낸드플래시 생산 공장과 반도체 후공정(패키징) 공장을 운영 중이다. SK하이닉스는 우시 D램 공장, 충칭 후공정 공장, 인텔로부터 인수한 다롄 낸드 공장을 운영하고 있다.
삼성전자는 현재 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 22조 원) 규모의 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 짓고 있다. SK하이닉스도 최근 150억 달러를 투자해 첨단 패키징 제조시설과 반도체 연구개발(R&D) 센터를 세운다고 밝혔다.
블룸버그통신은 "TSMC 등은 기존 시설을 새로 정비하거나 확장할 수 없어 반도체 시장에서 성장할 수 있는 기회 일부를 사실상 잃게 된다"며 "TSMC와 삼성전자는 중국의 기술적 야망을 좌절시키려는 미국의 시도가 속도를 냄에 따라 미국과 중국 사이에서 균형을 맞춰야 한다"고 했다.
