[이슈밸리=박지영 기자] SK하이닉스가 올해 3분기 1조8000억원에 달하는 적자를 낸 가운데 고대역폭 메모리(HBM) 등 고성능 제품을 중심으로 매출이 늘며 영업손실 규모가 줄었고 D램은 2개 분기 만에 흑자로 돌아섰다.
SK하이닉스는 26일 연결 기준 올해 3분기 영업손실이 1조7920억원으로 지난해 동기와 비교해 적자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다.
매출은 9조662억원으로 작년 동기 대비 17.5% 감소했다. 순손실은 2조1847억원으로 적자로 돌아섰다.
대표적인 인공지능(AI)용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력 제품들의 판매가 호조를 보이며 전 분기와 비교해 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다.
D램과 낸드 모두 판매량이 늘었고 D램 평균판매단가(ASP)가 상승하며 전 분기 대비 매출이 증가했다.
SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다"고 말했다.
제품별로 보면 D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고 ASP도 약 10% 상승했다.
낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD 중심으로 출하량이 늘었다.
이에따라 4분기부터는 D램과 낸드의 가격이 동반 상승하며 업황 개선 속도가 빨라질 것으로 보인다.
D램은 생성형 AI 성장세와 함께 시황이 호전될 전망이다.
김형태 신한투자증권 연구원은 "D램 대비 회복이 늦어지는 낸드 업황에 갖는 우려는 여전한 것으로 보이지만, 고객사의 메모리 재고 수준이 정상 범위에 도달했으며 공급자의 감산 기조가 유지되고 있어 유통재고 소진이 가속화되고 있다"며 "세트 고객사도 대부분 가격 인상 요구를 수용하는 것으로 알려져 가파른 적자 폭 축소가 예상된다"고 말했다.
SK하이닉스는 실적 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.
특히 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. SK하이닉스는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.
TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 첨단 패키징 기술이다.
김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO) 부사장은 "HBM, DDR5 등 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것"이라며 "고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 강화하겠다"고 말했다.
